Transistor PNP 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V

Transistor PNP 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.51€
5-9
1.36€
10-24
1.25€
25-49
1.15€
50+
0.98€
Quantité en stock: 60

Transistor PNP 2SA1358Y, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F (2-8A1H). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 30pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3421Y. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:35

Documentation technique (PDF)
2SA1358Y
24 paramètres
Courant de collecteur
1A
Boîtier
TO-126F
Boîtier (selon fiche technique)
TO-126F (2-8A1H)
Tension collecteur/émetteur Vceo
120V
C (out)
30pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
10W
FT
120 MHz
Gain hFE maxi
240
Gain hFE mini
120
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SC3421Y
Technologie
'Epitaxial Type (PCT Process)'
Température de fonctionnement
-...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1V
Type de transistor
PNP
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba