Transistor PNP 2N5415, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V
Quantité
Prix unitaire
1-4
0.93€
5-24
0.79€
25-49
0.69€
50-99
0.59€
100+
0.47€
| Quantité en stock: 47 |
Transistor PNP 2N5415, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1W. FT: 15 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Vebo: 4 v. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27
2N5415
23 paramètres
Courant de collecteur
1A
Boîtier
TO-39 ( TO-205 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-39
Tension collecteur/émetteur Vceo
200V
C (in)
75pF
C (out)
15pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
1W
FT
15 MHz
Gain hFE maxi
150
Gain hFE mini
30
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température
+200°C
Tension de saturation VCE(sat)
2.5V
Type de transistor
PNP
Vcbo
200V
Vebo
4 v
Produit d'origine constructeur
Cdil