Transistor NPN TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V

Transistor NPN TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.35€
5-29
2.07€
30-59
1.88€
60-89
1.74€
90+
1.55€
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Transistor NPN TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Courant de collecteur: 25A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. C (out): 35pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Date de production: 1450. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 3MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50A. Marquage du fabricant: TIP33C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 125W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP36C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
TIP35C
38 paramètres
Boîtier
TO-247
Tension collecteur-émetteur VCEO
100V
Courant de collecteur Ic [A], max.
25A
Courant de collecteur
25A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension collecteur/émetteur Vceo
100V
C (out)
35pF
Conditionnement
tubus
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de collecteur Ic [A]
25A
Date de production
1450
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
125W
Dissipation maximale Ptot [W]
125W
FT
3 MHz
Famille de composants
transistor de puissance NPN
Fonction
Transistors de puissance complémentaires
Fréquence maxi
3MHz
Gain hFE maxi
50
Gain hFE mini
25
Ic(puls)
50A
Marquage du fabricant
TIP33C
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Polarité
bipolaire
Puissance
125W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) TIP36C
Température maxi
+150°C.
Tension (collecteur - émetteur)
100V
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
100V
Tension de saturation VCE(sat)
1.8V
Type de transistor
NPN
Vcbo
100V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

Produits équivalents et/ou accessoires pour TIP35C