Transistor NPN TIP102G, 8A, TO-220, TO-220, 100V

Transistor NPN TIP102G, 8A, TO-220, TO-220, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.27€
5-24
1.11€
25-49
0.97€
50-99
0.88€
100+
0.76€
Quantité en stock: 81

Transistor NPN TIP102G, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: commutation, amplificateur audio. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP107. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 19:08

TIP102G
25 paramètres
Courant de collecteur
8A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension collecteur/émetteur Vceo
100V
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
80W
Fonction
commutation, amplificateur audio
Gain hFE maxi
20000
Gain hFE mini
1000
Ic(puls)
15A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance BE
8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2)
Spec info
transistor complémentaire (paire) TIP107
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2V
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
NPN
Vcbo
100V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor