Transistor NPN PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

Transistor NPN PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

Quantité
Prix unitaire
10-24
0.0791€
25-49
0.0712€
50-99
0.0673€
100+
0.0523€
Quantité en stock: 51
Minimum: 10

Transistor NPN PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 250 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.8A. Marquage sur le boîtier: p2X, t2X, W2X. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: sérigraphie/code CMS P2X, T2X, W2X, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 02:22

Documentation technique (PDF)
PMBT4401
27 paramètres
Courant de collecteur
0.6A
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23
Tension collecteur/émetteur Vceo
40V
C (in)
30pF
C (out)
8pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.25W
FT
250 MHz
Fonction
Commutation à haute vitesse
Gain hFE maxi
300
Gain hFE mini
100
Ic(puls)
0.8A
Marquage sur le boîtier
p2X, t2X, W2X
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Quantité par boîtier
1
Spec info
sérigraphie/code CMS P2X, T2X, W2X, transistor complémentaire (paire) PMBT4401
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.75V
Type de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors
Quantité minimum
10