Transistor NPN MJE13009G, TO-220, 12A

Transistor NPN MJE13009G, TO-220, 12A

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Transistor NPN MJE13009G, TO-220, 12A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Marquage du fabricant: MJE13009G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 15:27

Documentation technique (PDF)
MJE13009G
13 paramètres
Boîtier
TO-220
Courant de collecteur Ic [A], max.
12A
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
100W
Famille de composants
transistor NPN haute tension
Fréquence de coupure ft [MHz]
4 MHz
Marquage du fabricant
MJE13009G
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
400V
Produit d'origine constructeur
Onsemi