Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V

Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
13.97€
5-9
13.17€
10-24
12.67€
25-49
12.29€
50+
11.59€
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Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Courant de collecteur: 30A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. C (in): 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. FT: 4 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE mini: 1000. Marquage du fabricant: MJ11016G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11015. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:52

Documentation technique (PDF)
MJ11016G
33 paramètres
Boîtier
TO-3 ( TO-204 )
Courant de collecteur Ic [A], max.
30A
Courant de collecteur
30A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3 ( TO-204 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
120V
Boîtier (norme JEDEC)
TO-204AA
C (in)
4pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
200W
Dissipation maximale Ptot [W]
200W
FT
4 MHz
Famille de composants
Transistor NPN Darlington de puissance
Gain hFE mini
1000
Marquage du fabricant
MJ11016G
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Remarque
8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2)
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJ11015
Température de fonctionnement
-55...+200°C
Température maxi
+200°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
120V
Tension de saturation VCE(sat)
3V
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor