Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V

Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.03€
5-14
1.68€
15-29
1.50€
30+
1.32€
Quantité en stock: 117

Transistor NPN MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 58W. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 18. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 05:05

Documentation technique (PDF)
MD2009DFX
25 paramètres
Courant de collecteur
10A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3PF
Tension collecteur/émetteur Vceo
700V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
58W
Fonction
FAST-SWITCH
Gain hFE maxi
18
Gain hFE mini
5
Ic(puls)
16A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
ICM--16A (tp=5ms)
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.3V
Tf(max)
0.6us
Tf(min)
0.3us
Type de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
7V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics