Transistor NPN MD1802FX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V

Transistor NPN MD1802FX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.71€
5-24
2.33€
25-49
2.07€
50-99
1.85€
100+
1.56€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 98

Transistor NPN MD1802FX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. C (out): 1pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 57W. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: -. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Vebo: 9V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
MD1802FX
24 paramètres
Courant de collecteur
10A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
ISOWATT218FX
Tension collecteur/émetteur Vceo
1500V
C (out)
1pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
57W
Fonction
Transistor haute tension pour CRT à définition standard
Gain hFE maxi
8.5
Gain hFE mini
5.5
Ic(puls)
15A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.5V
Tf(max)
0.2us
Type de transistor
NPN
Vcbo
700V
Vebo
9V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

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