Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V

Quantité
Prix unitaire
1-4
8.15€
5-9
7.46€
10-24
6.82€
25-49
6.40€
50+
5.69€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 7

Transistor NPN BU808DFX, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Dissipation de puissance maxi: 62W. FT: kHz. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance BE: 42 Ohms. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
BU808DFX
25 paramètres
Courant de collecteur
8A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
ISOWATT218FX
Tension collecteur/émetteur Vceo
700V
Dissipation de puissance maxi
62W
FT
kHz
Gain hFE maxi
230
Gain hFE mini
60
Ic(puls)
10A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Résistance BE
42 Ohms
Spec info
ICM--(tp < 5ms)
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.6V
Tf(max)
0.8us
Tf(min)
0.2us
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
NPN
Vcbo
1400V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

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