Transistor NPN BU2527AF, SOT-199, 12A, 800V
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Transistor NPN BU2527AF, SOT-199, 12A, 800V. Boîtier: SOT-199. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: CRT-HA hi-re. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SOT199 (F). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43
BU2527AF
12 paramètres
Boîtier
SOT-199
Courant de collecteur
12A
Tension collecteur/émetteur Vceo
800V
Dissipation de puissance maxi
45W
Fonction
CRT-HA hi-re
Matériau semi-conducteur
silicium
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
SOT199 (F)
Type de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors