Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.86€
5-24
0.75€
25-49
0.67€
50-99
0.61€
100+
0.49€
Quantité en stock: 19

Transistor NPN BSR51, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BSR51
24 paramètres
Courant de collecteur
1A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92 ( SOT-54 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
60V
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
0.83W
FT
200 MHz
Gain hFE maxi
2000
Gain hFE mini
1000
Ic(puls)
2A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1.3V
Tf(max)
1300 ns
Tf(min)
500 ns
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors