Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V

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Transistor NPN BFR93A, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Courant de collecteur: 35mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 6GHz. Fonction: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 40. Marquage sur le boîtier: R2. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SMD R2. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 15V. Vebo: 2V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BFR93A
24 paramètres
Courant de collecteur
35mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
12V
Conditionnement
rouleau
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.3W
FT
6GHz
Fonction
UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.
Gain hFE maxi
90
Gain hFE mini
40
Marquage sur le boîtier
R2
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Spec info
SMD R2
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
3000
Vcbo
15V
Vebo
2V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors