Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.02€
5-24
2.79€
25-49
2.64€
50-99
2.54€
100+
2.34€
Quantité en stock: 118

Transistor NPN BFG591, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. C (out): 0.7pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 2W. FT: 7GHz. Fonction: Pour amplificateur d'antenne VHF/UHF et applications de communication RF. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 3V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BFG591
23 paramètres
Courant de collecteur
200mA
Boîtier
SOT-223 ( TO-226 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-223
Tension collecteur/émetteur Vceo
15V
C (out)
0.7pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
2W
FT
7GHz
Fonction
Pour amplificateur d'antenne VHF/UHF et applications de communication RF
Gain hFE maxi
250
Gain hFE mini
60
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
4
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-60...+150°C
Température
+150°C
Type de transistor
NPN
Vcbo
20V
Vebo
3V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors