Transistor NPN BDW83C-PMC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

Transistor NPN BDW83C-PMC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.24€
5-24
1.95€
25-49
1.74€
50+
1.53€
Quantité en stock: 48

Transistor NPN BDW83C-PMC, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 1 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 750. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW84C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Div. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BDW83C-PMC
23 paramètres
Courant de collecteur
15A
Boîtier
TO-3PN ( 2-16C1B )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3PN
Tension collecteur/émetteur Vceo
100V
Dissipation de puissance maxi
150W
FT
1 MHz
Gain hFE maxi
20000
Gain hFE mini
750
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) BDW84C
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2.5V
Tf(max)
7us
Tf(min)
0.9us
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Div