Transistor NPN BDP949H6327XTSA1, SOT-223, 3A

Transistor NPN BDP949H6327XTSA1, SOT-223, 3A

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Transistor NPN BDP949H6327XTSA1, SOT-223, 3A. Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: BDP949. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BDP949H6327XTSA1
13 paramètres
Boîtier
SOT-223
Courant de collecteur Ic [A], max.
3A
Boîtier (norme JEDEC)
TO-264
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Dissipation maximale Ptot [W]
3W
Famille de composants
transistor de puissance NPN
Fréquence de coupure ft [MHz]
100 MHz
Marquage du fabricant
BDP949
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
60V
Produit d'origine constructeur
Infineon