Transistor NPN BD809G, TO-220, 10A

Transistor NPN BD809G, TO-220, 10A

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Transistor NPN BD809G, TO-220, 10A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1.5 MHz. Marquage du fabricant: BD809G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BD809G
13 paramètres
Boîtier
TO-220
Courant de collecteur Ic [A], max.
10A
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation maximale Ptot [W]
90W
Famille de composants
transistor de puissance NPN
Fréquence de coupure ft [MHz]
1.5 MHz
Marquage du fabricant
BD809G
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
80V
Produit d'origine constructeur
Onsemi