Transistor NPN BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BD139. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 80V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14