Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.19€
5-49
0.16€
50-99
0.14€
100-199
0.12€
200+
0.11€
Quantité en stock: 231

Transistor NPN BCX41E6327, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. C (out): 12pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 100 MHz. Fonction: transistor NPN. Applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: EKs. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX42. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 125V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BCX41E6327
24 paramètres
Courant de collecteur
0.8A
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23
Tension collecteur/émetteur Vceo
125V
C (out)
12pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.33W
FT
100 MHz
Fonction
transistor NPN
Gain hFE maxi
63
Gain hFE mini
25
Ic(puls)
1A
Marquage sur le boîtier
EKs
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) BCX42
Température de fonctionnement
-65...150°C
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.9V
Type de transistor
NPN
Vcbo
125V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies