Transistor NPN BCP55-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Transistor NPN BCP55-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.16€
5-49
0.14€
50-99
0.12€
100-499
0.10€
500+
0.0880€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 833

Transistor NPN BCP55-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 25pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 2W. FT: 150 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP 5516. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP52-16. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BCP55-16
26 paramètres
Courant de collecteur
1A
Boîtier
SOT-223 ( TO-226 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-223
Tension collecteur/émetteur Vceo
60V
C (out)
25pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
2W
FT
150 MHz
Fonction
Applications audio, téléphonie et automobile
Gain hFE maxi
250
Gain hFE mini
100
Ic(puls)
2A
Marquage sur le boîtier
BCP 5516
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) BCP52-16
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation maxi VCE(sat)
0.5V
Type de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Diodes Inc.

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