Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0442€
50-99
0.0372€
100-499
0.0312€
500+
0.0235€
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Transistor NPN BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. C (out): 10pF. Conditionnement d'origine: 3000. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. 500mA. Courant maximum 1: 0.8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE min.: 250. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Information: -. Marquage sur le boîtier: 6C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 225mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6C. Série: BC. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de conditionnement: bobine. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34

Documentation technique (PDF)
BC817-40
41 paramètres
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Tension collecteur-émetteur VCEO
45V
Courant de collecteur
0.5A
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
45V
Bande passante MHz
100MHz
C (out)
10pF
Conditionnement d'origine
3000
Courant de collecteur Ic [A]
0.5A
Courant maximum 1
0.8A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.33W
FT
170 MHz
Fonction
NF-TR
Gain hFE maxi
630
Gain hFE min.
250
Gain hFE mini
250
Ic(puls)
1A
Marquage sur le boîtier
6C
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
225mW
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS 6C
Série
BC
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension (collecteur - émetteur)
50V
Tension base / collecteur VCBO
50V
Tension de saturation VCE(sat)
0.7V
Type de conditionnement
bobine
Type de montage
SMD
Type de transistor
NPN
Type
transistor pour applications basse puissance
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor
Quantité minimum
10

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