Transistor NPN BC817-25, SOT-23 ( TO-236 ), 0.5A, SOT-23-3, 45V

Transistor NPN BC817-25, SOT-23 ( TO-236 ), 0.5A, SOT-23-3, 45V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0412€
50-99
0.0356€
100-499
0.0320€
500+
0.0267€
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Minimum: 10

Transistor NPN BC817-25, SOT-23 ( TO-236 ), 0.5A, SOT-23-3, 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 3pF. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Fréquence: 200MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6B. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Nexperia. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34

Documentation technique (PDF)
BC817-25
31 paramètres
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Courant de collecteur
0.5A
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23-3
Tension collecteur/émetteur Vceo
45V
C (out)
3pF
Courant de collecteur Ic [A]
500mA
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.25W
FT
100 MHz
Fonction
NF-TR
Fréquence
200MHz
Gain hFE maxi
400
Gain hFE mini
160
Ic(puls)
1A
Marquage sur le boîtier
6B
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS 6B
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension (collecteur - émetteur)
50V
Tension de saturation VCE(sat)
0.7V
Type de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Nexperia
Quantité minimum
10