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| Quantité en stock: 1007 |
Transistor NPN BC517_D74Z, 30V, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v
Quantité
Prix unitaire
1-4
0.33€
5-49
0.28€
50-99
0.24€
100-199
0.22€
200+
0.19€
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Transistor NPN BC517_D74Z, 30V, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Vcbo: 40V. Vebo: 10V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45
BC517_D74Z
26 paramètres
Tension collecteur-émetteur VCEO
30V
Courant de collecteur
1.2A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92 ( Ammo Pack )
Tension collecteur/émetteur Vceo
30 v
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.625W
FT
200MHz
Gain hFE mini
30000
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
NPN
Puissance
0.625W
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) BC516
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1V
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
NPN
Type
transistor Darlington
Vcbo
40V
Vebo
10V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor