Transistor NPN 3DD209L, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Dissipation de puissance maxi: 120W. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D209L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tf(min): 0.7us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Produit d'origine constructeur: Jilin Sino-microelectronics Co. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45