Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.99€
5-24
0.83€
25-49
0.72€
50-99
0.62€
100+
0.51€
Quantité en stock: 72

Transistor NPN 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 140 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: D667. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 9mm. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB647. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Hitachi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
2SD667
24 paramètres
Courant de collecteur
1A
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92MOD ( 2-5J1A )
Tension collecteur/émetteur Vceo
80V
Dissipation de puissance maxi
0.9W
FT
140 MHz
Fonction
Amplificateur de puissance basse fréquence
Gain hFE maxi
120
Gain hFE mini
60
Ic(puls)
2A
Marquage sur le boîtier
D667
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
9mm
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SB647
Technologie
Silicon NPN Epitaxial
Température de fonctionnement
-50...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1V
Type de transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Hitachi