Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.34€
5-24
4.12€
25-49
3.91€
50+
3.68€
Quantité en stock: 8

Transistor NPN 2SD600K, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1A, TO-126, 120V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Dissipation de puissance maxi: 8W. FT: 130 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Fréquence: 130MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 8W. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB631K. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
2SD600K
28 paramètres
Boîtier
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Courant de collecteur
1A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-126
Tension collecteur/émetteur Vceo
120V
Courant de collecteur Ic [A]
1A
Dissipation de puissance maxi
8W
FT
130 MHz
Fonction
Amplificateur de puissance basse fréquence
Fréquence
130MHz
Gain hFE maxi
320
Gain hFE mini
20
Ic(puls)
2A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
8W
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SB631K
Température
+150°C
Tension (collecteur - émetteur)
120V
Tension de saturation VCE(sat)
0.15V
Tf(max)
100 ns
Tf(min)
100 ns
Type de transistor
NPN
Vcbo
120V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Sanyo