Transistor NPN 2SD2499, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SD2499, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.20€
5-9
2.93€
10-24
2.74€
25-49
2.58€
50+
2.30€
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Transistor NPN 2SD2499, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (out): 95pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 40 Ohms. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
2SD2499
27 paramètres
Courant de collecteur
6A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
2-16E3A
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
C (out)
95pF
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
50W
FT
2 MHz
Fonction
CTV-HA
Gain hFE maxi
25
Gain hFE mini
5
Ic(puls)
12A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Résistance BE
40 Ohms
Technologie
'Triple Diffused MESA Type'
Température de fonctionnement
-...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
5V
Tf(max)
0.6us
Tf(min)
0.3us
Type de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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