Transistor NPN 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Transistor NPN 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.26€
5-9
2.82€
10-24
2.53€
25-49
2.34€
50+
2.10€
Quantité en stock: 3

Transistor NPN 2SD1804, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 180 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 12A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1204. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
2SD1804
24 paramètres
Courant de collecteur
8A
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Dissipation de puissance maxi
20W
FT
180 MHz
Fonction
commutation à courant élevé, faible tension de saturation
Gain hFE maxi
400
Gain hFE mini
35
Ic(puls)
12A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SB1204
Technologie
'Epitaxial Planar Silicon Transistors'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.2V
Tf(max)
20 ns
Tf(min)
20 ns
Type de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Sanyo