Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.43€
5-9
0.32€
10-24
0.27€
25+
0.24€
Quantité en stock: 850

Transistor NPN 2SD1664Q, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: transistor bipolaire. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: DAQ. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS DAQ. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 1000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ROHM. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:46

Documentation technique (PDF)
2SD1664Q
26 paramètres
Courant de collecteur
1A
Boîtier
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-89
Tension collecteur/émetteur Vceo
32V
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
0.5W
FT
150 MHz
Fonction
transistor bipolaire
Gain hFE maxi
270
Gain hFE mini
120
Ic(puls)
2A
Marquage sur le boîtier
DAQ
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS DAQ
Technologie
'Epitaxial planar type'
Température de fonctionnement
+55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.15V
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
1000
Vcbo
40V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ROHM