Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.90€
5-24
0.71€
25-49
0.64€
50+
0.56€
Quantité en stock: 56

Transistor NPN 2SD1624S, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: DG. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS DG. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:46

Documentation technique (PDF)
2SD1624S
26 paramètres
Courant de collecteur
3A
Boîtier
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-89
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Dissipation de puissance maxi
0.5W
FT
150 MHz
Fonction
commutation à courant élevé, faible tension de saturation
Gain hFE maxi
280
Gain hFE mini
140
Ic(puls)
6A
Marquage sur le boîtier
DG
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
sérigraphie/code CMS DG
Technologie
'Epitaxial Planar Silicon Transistors'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.35V
Tf(max)
35 ns
Tf(min)
35 ns
Type de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Sanyo