Transistor NPN 2SC5858, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

Transistor NPN 2SC5858, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

Quantité
Prix unitaire
1-4
14.18€
5-9
13.38€
10-24
11.94€
25+
10.79€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 39

Transistor NPN 2SC5858, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Courant de collecteur: 22A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 2 MHz. Fonction: pour déviation horizontale haute résolution, TV HD. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 44A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SC5858
25 paramètres
Courant de collecteur
22A
Boîtier
TO-264 ( TOP-3L )
Boîtier (selon fiche technique)
2-21F2A
Tension collecteur/émetteur Vceo
750V
Dissipation de puissance maxi
200W
FT
2 MHz
Fonction
pour déviation horizontale haute résolution, TV HD
Gain hFE maxi
60
Gain hFE mini
5
Ic(puls)
44A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
'Triple Diffused MESA Type'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.5V
Tf(max)
0.1us
Tf(min)
0.1us
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
NPN
Vcbo
1700V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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