Transistor NPN 2SC5149, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SC5149, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.95€
5-24
1.61€
25-49
1.36€
50+
1.23€
Quantité en stock: 826

Transistor NPN 2SC5149, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 2 MHz. Fonction: fonctionnement rapide, pour déviation horizontale (TV). Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5149. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:03

Documentation technique (PDF)
2SC5149
24 paramètres
Courant de collecteur
8A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
2-16E3A
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
Dissipation de puissance maxi
50W
FT
2 MHz
Fonction
fonctionnement rapide, pour déviation horizontale (TV)
Gain hFE maxi
25
Gain hFE mini
8
Ic(puls)
16A
Marquage sur le boîtier
C5149
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Spec info
'Triple Diffused MESA Type'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
5V
Tf(max)
0.5us
Tf(min)
0.2us
Transistor Darlington?
non
Type de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Produit d'origine constructeur
Toshiba