Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.46€
5-24
2.14€
25-49
1.91€
50+
1.68€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 106

Transistor NPN 2SC5129, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. FT: 1.7 MHz. Fonction: MONITOR HA,Hi-res. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C5129. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: temps de descente 0.15..03us (64kHz). Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:53

Documentation technique (PDF)
2SC5129
27 paramètres
Courant de collecteur
10A
Boîtier
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Boîtier (selon fiche technique)
2-16E3A
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
50W
FT
1.7 MHz
Fonction
MONITOR HA,Hi-res
Gain hFE maxi
30
Gain hFE mini
10
Ic(puls)
20A
Marquage sur le boîtier
C5129
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
temps de descente 0.15..03us (64kHz)
Technologie
'Triple Diffused MESA Type'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
3V
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.15us
Type de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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