Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.62€
5-24
1.42€
25-49
1.28€
50+
1.15€
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Transistor NPN 2SC3303, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: C3303. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:19

Documentation technique (PDF)
2SC3303
24 paramètres
Courant de collecteur
5A
Boîtier
TO-251 ( I-Pak )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-251AA ( I-PAK )
Tension collecteur/émetteur Vceo
80V
Dissipation de puissance maxi
20W
FT
120 MHz
Fonction
Commutation à haute vitesse
Gain hFE maxi
240
Gain hFE mini
70
Ic(puls)
8A
Marquage sur le boîtier
C3303
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Technologie
'Epitaxial Type (PCT Process)'
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.2V
Tf(max)
0.1us
Tf(min)
0.1us
Type de transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
7V
Produit d'origine constructeur
Toshiba