Transistor NPN 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Transistor NPN 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.86€
5-24
1.53€
25-49
1.38€
50+
1.25€
Quantité en stock: 22

Transistor NPN 2SC3074-Y, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Dissipation de puissance maxi: 20W. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à courant élevé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: C3074. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SA1244. RoHS: oui. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:19

Documentation technique (PDF)
2SC3074-Y
24 paramètres
Courant de collecteur
5A
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
Dissipation de puissance maxi
20W
FT
120 MHz
Fonction
Commutation à courant élevé
Gain hFE maxi
240
Gain hFE mini
70
Marquage sur le boîtier
C3074
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Remarque
transistor complémentaire (paire) 2SA1244
RoHS
oui
Spec info
Lo-sat--Vce(sat)--0.2V
Technologie
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.2V
Type de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Toshiba