Transistor NPN 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V

Transistor NPN 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V

Quantité
Prix unitaire
1-4
11.80€
5-24
10.69€
25-49
9.90€
50-99
9.33€
100+
8.46€
Quantité en stock: 47

Transistor NPN 2N3055-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 115W. FT: 2.5 MHz. Fonction: Amplificateur audio linéaire et commutation. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ2955. Technologie: 'epitaxial-base planar technology'. Température: +200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27

2N3055-ONS
23 paramètres
Courant de collecteur
15A
Boîtier
TO-3 ( TO-204 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3
Tension collecteur/émetteur Vceo
70V
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
115W
FT
2.5 MHz
Fonction
Amplificateur audio linéaire et commutation
Gain hFE maxi
70
Gain hFE mini
20
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJ2955
Technologie
'epitaxial-base planar technology'
Température
+200°C
Tension de saturation VCE(sat)
1V
Type de transistor
NPN
Vcbo
100V
Vebo
7V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor