Transistor NPN 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température: +175°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27