Transistor NPN 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. C (in): 25pF. C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 800mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage du fabricant: 2N2219A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 800mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension (collecteur - émetteur): 60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27