Transistor IGBT STGW60V60DF. Boîtier: TO-247. C (in): 8000pF. C (out): 280pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 375W. Ic(T=100°C): 60A. Ic(puls): 240A. Marquage sur le boîtier: GW60V60DF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54