Transistor IGBT STGW40NC60KD. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Boîtier: TO-247. C (in): 2870pF. C (out): 295pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 70A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Ic(T=100°C): 38A. Ic(puls): 220A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60KD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54