Transistor IGBT SGW30N60HS. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Boîtier: TO-247. C (in): 1500pF. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 112A. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur: 41A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Fonction: Commutation à haute vitesse. Ic(T=100°C): 30A. Ic(puls): 112A. Marquage du fabricant: G30N60HS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:14