Transistor IGBT SGP30N60HS. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 112A. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Marquage du fabricant: G30N60HS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:08