Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF
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Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 ( AB ). Boîtier: TO-220. C (in): 450pF. C (out): 61pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 32A. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Courant de collecteur: 16A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 100W. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Fonction: IGBT ultra-rapide et résistant aux courts-circuits. Ic(T=100°C): 9A. Ic(puls): 32A. Marquage du fabricant: IRG4BC20KD. Marquage sur le boîtier: G4BC20KD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 180 ns. Td(on): 54 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 54 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Tension de saturation VCE(sat): 2.27V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13