Transistor IGBT IRG4BC20FDPBF
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Transistor IGBT IRG4BC20FDPBF. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 64A. Courant de collecteur Ic [A]: 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 240 ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Marquage du fabricant: IRG4BC20FD. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 43 ns. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:53
IRG4BC20FDPBF
		16 paramètres
	  Boîtier (norme JEDEC)
		  TO-220AB
		Boîtier
		  TO-220AB
		Configuration
		  montage traversant pour circuit imprimé
		Courant crête collecteur Ip [A]
		  64A
		Courant de collecteur Ic [A]
		  16A
		Dissipation maximale Ptot [W]
		  60W
		Délai de coupure tf[nsec.]
		  240 ns
		Famille de composants
		  transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée
		Marquage du fabricant
		  IRG4BC20FD
		Nombre de bornes
		  3
		RoHS
		  oui
		Temps d'enclenchement ton [nsec.]
		  43 ns
		Température maxi
		  +150°C.
		Tension collecteur-émetteur Uce [V]
		  600V
		Tension de rupture de grille Ugs [V]
		  6V
		Produit d'origine constructeur
		  International Rectifier