Transistor IGBT IKW50N120CS7XKSA1
Quantité
Prix unitaire
1-4
26.44€
5-9
24.84€
10-19
24.30€
20-49
23.82€
50+
23.15€
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Transistor IGBT IKW50N120CS7XKSA1. Boîtier: TO-247AC. Charge: 290nC. Courant crête collecteur Ip [A]: 150A. Courant de collecteur Ic [A]: 50A. Courant de collecteur: 82A. Diode intégrée: oui. Puissance: 428W. RoHS: oui. Tension (collecteur - émetteur): 1200V. Tension Emetteur - Gate: ±20V. Tension collecteur – émetteur: 1200V. Type de transistor: transistor IGBT. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 01/11/2025, 14:08
IKW50N120CS7XKSA1
13 paramètres
Boîtier
TO-247AC
Charge
290nC
Courant crête collecteur Ip [A]
150A
Courant de collecteur Ic [A]
50A
Courant de collecteur
82A
Diode intégrée
oui
Puissance
428W
RoHS
oui
Tension (collecteur - émetteur)
1200V
Tension Emetteur - Gate
±20V
Tension collecteur – émetteur
1200V
Type de transistor
transistor IGBT
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies