Transistor IGBT IKW25N120T2. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 100A. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Dissipation maximale Ptot [W]: 349W. Délai de coupure tf[nsec.]: 265 ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Marquage du fabricant: K25T1202. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Température maxi: +175°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.4V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:08