Transistor IGBT IHW30N120R5XKSA1. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Boîtier: TO-247. C (in): 1800pF. C (out): 55pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 60A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: cuisson par induction, fours à micro-ondes. Ic(T=100°C): 30A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: H30MR5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Td(off): 330 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:27