Transistor IGBT IGW60T120. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO-247-3. Boîtier: TO-247. C (in): 3700pF. C (out): 180pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 150A. Courant de collecteur Ic [A]: 60A. Courant de collecteur: 100A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 375W. Dissipation maximale Ptot [W]: 375W. Délai de coupure tf[nsec.]: 480 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Ic(T=100°C): 60A. Ic(puls): 150A. Marquage du fabricant: G60T120. Marquage sur le boîtier: G60T120. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Td(off): 480 ns. Td(on): 50 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:27