Transistor IGBT IGW60T120

Transistor IGBT IGW60T120. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G60T120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 60A. Courant de collecteur maxi (A): 150A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 480 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 375W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): non. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 23:25.