Transistor IGBT HGTG20N60B3
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Transistor IGBT HGTG20N60B3. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Boîtier: TO-247. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 160A. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur: 40A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 165W. Dissipation maximale Ptot [W]: 165W. Délai de coupure tf[nsec.]: 220 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Fonction: UFS Series IGBT. Ic(T=100°C): 20A. Ic(puls): 160A. Marquage du fabricant: HG20N60B3. Marquage sur le boîtier: HG20N60B3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Temps de chute typique 140ns à 150°C. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:29