Transistor IGBT FGL40N120ANDTU

Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Transistor IGBT. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264-3L. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7.5V. C (in): 3200pF. C (out): 370pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 75 ns. Fonction: UPS, commandes de moteur AC/DC et onduleurs à usage général. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 64A. Ic(puls): 160A. Ic(T=100°C): 40A. Marquage sur le boîtier: FGL40N120AND. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. Spec info: NPT-Trench IGBT. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 21:25.