Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): TO-264-3L. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). C (in): 3200pF. C (out): 370pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 160A. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur: 64A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 500W. Dissipation maximale Ptot [W]: 500W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Fonction: UPS, commandes de moteur AC/DC et onduleurs à usage général. Ic(T=100°C): 40A. Ic(puls): 160A. Marquage du fabricant: FGL40N120AND. Marquage sur le boîtier: FGL40N120AND. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: NPT-Trench IGBT. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7.5V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 25. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:40